收藏本站
MCP14E6/7/8
Note: Unless otherwise indicated, T A = +25°C with 4.5V ≤ V DD ≤ 18V.
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
V DD = 18V
V HI
0.65
0.60
0.55
0.50
V DD = 12V
1.5
1.4
0.45
1.3
1.2
1.1
1.0
V LO
0.40
0.35
0.30
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
Temperature (°C)
Temperature (°C)
FIGURE 2-19:
Temperature.
1.8
Input Threshold vs.
FIGURE 2-22:
Temperature.
1.E-07
Enable Hysteresis vs.
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
V HI
V LO
1.E-08
1.E-09
4
6
8
10
12
14
16
18
4
6
8
10
12
14
16
18
Supply Voltage (V)
Supply Voltage(V)
FIGURE 2-20:
Voltage.
Input Threshold vs. Supply
Note:
The values in this graph represent the
loss seen by both drivers in a package
during a complete cycle.
For a single driver, divide the stated
1.8
value by 2.
1.7
1.6
V EN_H
For a single transition of a single driver,
divide the stated value by 4.
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
V DD = 12V
V EN_L
FIGURE 2-23:
Supply Voltage.
Crossover Energy vs.
-40 -25 -10
FIGURE 2-21:
Temeprature.
DS25006A-page 10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
Temperature (°C)
Enable Threshold vs.
? 2011 Microchip Technology Inc.
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MCP14E9T-E/MF IC MOSFET DRIVER 3A 8DFN-S
MCP1640RD-4ABC BOARD REF DES AAAA BAT BOOST
MCP3906AT-E/SS IC ENERGY METERING 24SSOP
MCP3907T-I/SS IC ENERGY METER W/OSC 24SSOP
MCZ33198EF IC TMOS DRIVER AUTO HISIDE 8SOIC
MCZ33285EFR2 IC TMOS DRIVER DUAL HISIDE 8SOIC
MCZ33927EK IC FET PRE-DRIVER 3PH 54-SOIC
MCZ33937EKR2 IC PRE-DRIVER 3PHASE 54-SOIC
相关代理商/技术参数
MCP14E6T-E/SN 功能描述:功率驱动器IC 3A MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
MCP14E7 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:2.0A Dual High-Speed Power MOSFET Driver With Enable
MCP14E7-E/MF 功能描述:功率驱动器IC 3A MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
MCP14E7-E/MF 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Le
MCP14E7-E/P 功能描述:功率驱动器IC 3A MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
MCP14E7-E/P 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Le 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:IC, MOSFET DRVR, DIP-8
MCP14E7-E/SN 功能描述:功率驱动器IC 3A MOSFET Driver RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
MCP14E7-E/SN 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Le 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:IC, MOSFET DRVR, SOIC-8